使用19nm工艺的国产DRAM预计下半年试产

根据系统天地网的消息，最新消息显示兆易创新、合肥长鑫的国产DRAM将使用19nm工艺，预计下半年试产，项目建成之后产能可达全球DRAM产能的8%。

据悉，位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产。

内存国产化节奏的加快，国内多家厂商都公布了自己的DRAM内存生产计划。近日，长江存储也迎来了自己的首台光刻机，5月19日，光刻机已运抵武汉天河机场，设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。

据悉，长江存储的首台光刻机同样来自ASML，为193nm浸润式光刻机，售价7200万美元，约人民币4.6亿元，用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

随着国家政策的扶持以及更多资金的扶持，用上高品质国产内存将指日可待。